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题目是这样的：
% ~( }& `5 V/ b {# x* S4 }4 ]$ T A) C+ h3 f
) N p, t% j# n在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3) P8 \; Q Z6 q* ^ R" n+ [, t
1.- f0 Z3 E# z- Q5 W7 y
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。* B& k( u' }# I6 J9 h
2.
% P. T9 d( \. c9 [& ^ a如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。5 z2 P/ U: H6 q: W. A2 B
3.; m$ [ g- b+ \2 F! W! t2 B
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
2 Z- q$ u, ~8 c7 g6 X5 @Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
; Y1 ]* I9 A6 T O9 U0 r硅材料 Nc＝2.8*1019
/ W. B8 d. I R, l' QNv＝1.04*1019# O- R9 X$ A5 h2 l+ H/ W
e＝1.6*10－19C
9 {, | z. G4 O. P& zKB＝1.38*10－23J/K
) J v2 T2 N% `. z; @ i8 ?# ?& _0 ~0 B) M7 [5 e
H. [: c/ Y5 b$ |0 T
& T( S0 i& [; _; b! T
) m; y* k& H; q: o7 V1 Q+ N
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。 |
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发表于 2008-3-25 21:40:07
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